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dc.contributor.authorBaierhofer, Daniel
dc.date.accessioned2025-12-15T15:03:33Z
dc.date.available2025-12-15T15:03:33Z
dc.date.issued2023
dc.identifierONIX_20251215T160010_9783961476206_26
dc.identifier.urihttps://library.oapen.org/handle/20.500.12657/109146
dc.languageGerman
dc.relation.ispartofseriesFAU Studien aus der Elektrotechnik
dc.subject.classificationthema EDItEUR::T Technology, Engineering, Agriculture, Industrial processes::TH Energy technology and engineering::THR Electrical engineering
dc.subject.classificationthema EDItEUR::T Technology, Engineering, Agriculture, Industrial processes::TJ Electronics and communications engineering::TJF Electronics engineering::TJFC Electronics: circuits and components
dc.subject.otherSiliciumcarbid
dc.subject.otherHalbleitertechnologie
dc.subject.otherMaterialcharakterisierung
dc.subject.otherPhotolumineszenz
dc.subject.otherHomoepitaxie
dc.subject.otherElektronisches Bauelement
dc.subject.otherDefekt
dc.titleKorrelation von Materialqualität und Ausfallmechanismen leistungselektronischer SiC-Bauelemente
dc.typebook
oapen.abstract.otherlanguageZiel dieser Arbeit war es, eine Korrelation der Siliciumcarbid (SiC) Materialqualität mit Ausfallmechanismen leistungselektronischer 4H-SiC Trench-MOSFET Bauelemente herzustellen. Dafür wurden homo-epitaktische, n-leitende SiC-Schichten abgeschieden. Diese Schichten wurden anschließend mit konfokaler DIC-Mikroskopie und UV-PL Methoden hinsichtlich ihrer Defekte charakterisiert. Die so charakterisierten Epitaxie-Wafer wurden zur Herstellung von leistungselektronischen Trench-MOSFET Bauelementen verwendet. Nach der Prozessierung wurden die Bauelemente elektrisch charakterisiert. Elektrische Ausbeute-Maps wurden anschließend mit den während der Prozessierung aufgenommenen Defektdaten überlagert und mit entsprechenden Defektklassen abgeglichen. Abschließende Untersuchungen an diesen charakterisierten Bauelementen dienten zur Analyse der Langzeitstabilität und Zuverlässigkeit.
oapen.identifier.doi10.25593/978-3-96147-620-6
oapen.relation.isPublishedBy54ed6011-10c9-4a00-b733-ea92cea25e2d
oapen.relation.isbn9783961476206
oapen.relation.isbn9783961476190
oapen.series.number18
oapen.pages243
oapen.place.publicationErlangen


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